10月15日，2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）在深圳会展中心举行。

估计不少人要失望了，当日展会上，新凯来展台展出了光学检测BFI产品岳麓山、物理与X射线量测设备XPS赤霞山-XP、刻蚀产品ETCH武夷山、扩散产品EPI峨眉山和RTP三清山、薄膜产品PVD普陀山及ALD阿里山、CVD长白山。新凯来子公司万里眼也有独立展台，展出了公司下一代数字网络测试产品、高频与高速芯片测试产品等。

产品很多，唯独没有最令人期待的国产光刻机。

不过，这也不奇怪，许多吃瓜群众和小白投资者，被营销号带偏了节奏，根本没弄清新凯来的业务范围。

新凯来确实从事半导体装备不假，但承担光刻机攻坚的另有其人，那就是名声相对不显的宇量昇（上海宇量昇科技有限公司），新凯来和创科微各占一半股权，分别对应上海国资和深圳国资。

9月，有媒体报道，该公司生产的28纳米光刻机已进入中芯国际的产线，进行测试验证，用于生产7纳米芯片。但此后未有更权威的信息释出。

这条并不确切的消息，在以讹传讹的过程中，愈发夸张，似乎“赶荷超美”近在眼前。甚至有自媒体表示，“有了DUV光刻机以后呢?全球95%以上的芯片，都能全国产化了。剩下的5%，只需再等一两年，国产EUV光刻机也就不成问题了。”

上一个被如此爆炒的，是上海微电子。今年8月“28nm光刻机量产”EUV技术突破""全球市占率85%"等数据被自媒体反复爆炒。还一度传出上海微电子要借壳上市的消息，最后不了了之，一批投资者参与相关概念炒作被套。

营销号提到的所谓上海微电子的28nm光刻机，一般认为是SSA800。

该设备2023年曾有一波报道，此后再无官方消息。

差距还有多少

很多不明所以者，用军工的思路看待半导体产业，认为“装备一代、研发一代、预研一代”，摆在明面上的都是最差的。

这种思路是不太合理的。军工之所以能保密，是因为整体产业链都有保密需要，以此实现内外隔绝。

但先进制程的半导体设备，是市场化运行的状态。很难要求整条产业链保密，同时目前并没有实现完全国产化，总有端倪可见。最后，也是最重要的是，并没有国产尖端芯片产品面市。

在成熟制程上，我们早已实现大比例国产化，差就差在先进制程。

台积电计划于2025年第四季度开始量产其2nm芯片。

假设28纳米光刻机量产，并且实现了7nm芯片量产，那么我们和最先进制程差了几代？

有自媒体说只差了一代，因为DUV实现了，下一步就是EUV。从光刻机设备的角度，也勉强成立，但从芯片制程来看，至少还差4代。

对手机芯片稍有关注的，都会了解，7nm之后，手机芯片的制程不再是对半下降，28nm到14nm，14nm到7纳米，而是7nm到5nm，5nm到4nm，4nm到3nm，再到如今台积电尝试突破2nm量产。

身边有同事对制程之间的差距无感，我就问她用的什么手机，一看一查芯片，4nm，这还是前年发布的机型，对制程差距就有了体感。

当然，某种意义上，这些制程已经对应的并不是芯片的物理尺寸，而只是半导体厂商为了区分产品技术代际的说法，更多体现的是生产工艺的进步。（强调新产品比上一代产品性能提升）

更不用说，设备从实验室到工厂量产还有以年计的验证过程，所以，只要对行业稍有了解，都很难说出“再等一两年，国产EUV光刻机也就不成问题了”的言论。

乐观点说，中国半导体产业想要追平国际最先进水平，还要5-10年。

此外，还需要重申，当前我们弯道超车的路径，并非没有缺点。

以当前所谓28nmDUV实现7nm芯片为例，其背后是DUV（深紫外光刻机）+多重曝光。

目前，包括新凯来在内的国产半导体厂商，都在探索DUV（深紫外光刻机）+多重曝光来突破制程限制。这条技术路径已经产出了不少成果，但不足也较为明显：DUV+SAQP生产的先进制程芯片，良品率整体低于EUV生产的先进制程芯片，算力上也有所不足，同时能效和散热也明显落后于EUV生产的先进制程芯片。

因而，当前的DUV+SAQP只能是替代、是候补、是追赶方案，还谈不上超车。

光刻机光源能弯道超车吗

除了制程上的探索，此前，也有媒体炒作国内在光刻机光源上的进展。

年初有小作文，说国产EUV采用LDP技术，在东莞进行测试，2025Q3试生产，2026年量产，然后配上了一个牛头不对马嘴的EUV物镜装调干涉仪的照片。

尽管此事后来不了了之，但背后涉及了光刻机光源技术路线之争。

当前，EUV光刻机的主要技术路线有二：LPP和DPP。

这两个路线的本质区别就是如何去电离锡靶。DPP通过电极之间的高压放电，利用洛伦兹力去压缩中性原子让它电力，专业叫做箍缩效应。而LPP就是激光去轰击它，让它电离。

经过多年技术探索，LPP方案胜出，主要原因是LPP方案光源质量更高，设计寿命更长。

所以目前，以ASML为代表的光刻机厂商，普遍采用LPP方案。

那么什么是LDP技术呢。有些报道说它是LPP和DPP的结合，其实不太准确，因为LDP只是预先借助激光来预热靶材，最后还是依靠电极放电来解离靶材。所以严格来说，LDP方案是DPP的一个升级版。

LDP相比DPP的优势，部分体现在设计寿命上。DPP方案存在电极热负载过高和腐蚀问题，LDP大大缓解了这一问题。

不过，即使如此，在可见的技术范围内，LDP方案想要挑战LPP方案，还有很大难度。

结语

国产半导体产业的 “追光之路”，从来不是一场靠营销话术就能加速的短跑，而是需要正视差距、步步为营的马拉松。

从湾芯展上新凯来的装备矩阵，到宇量昇 28nm 光刻机的待验证消息，再到国内厂商对 DUV + 多重曝光路线的探索，我们确实在成熟制程装备和先进制程替代方案上取得了可见进展。

但我们也需清醒：“赶荷超美” 非一日之功。营销号口中 “一两年突破 EUV”“95% 芯片国产化” 的狂想，既忽视了半导体产业的技术规律，也容易误导公众认知、催生投资泡沫。

国产半导体产业的发展，需要的是少些浮躁炒作、多些务实研发，少些短期狂欢、多些长期主义。